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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DMA | 包装说明： | DIMM, DIMM232,40 |
| 针数： | 232 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 最长访问时间： | 32 ns | 其他特性： | SELF CONTAINED REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 1200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N232 | 内存密度： | 1207959552 bit |
| 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM MODULE | 内存宽度： | 36 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 232 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 组织： | 32MX36 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM232,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 自我刷新： | YES |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.37 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MD18R1624DF0-CN9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 |
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| MD18R1624DF0-CT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 |
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| MD18R1628AF0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX36, CMOS, RIMM-232 |
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| MD18R1628AF0-CM9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX36, CMOS, RIMM-232 |
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| MD18R1628DF0-CK8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX36, CMOS, RIMM-232 |
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| MD18R1628DF0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX36, CMOS, RIMM-232 |
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| MD18R1628DF0-CN9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX36, CMOS, RIMM-232 |
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| MD18R1628DF0-CT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX36, CMOS, RIMM-232 |
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| MD18R162GAF0-CM9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX36, CMOS, RIMM-232 |
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| MD18R162GAF0-CN9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX36, CMOS, RIMM-232 |
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