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MD18R1624DF0-CN1

更新时间: 2024-09-14 20:00:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 184K
描述
Rambus DRAM Module, 32MX36, 32ns, CMOS, RIMM-232

MD18R1624DF0-CN1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DMA包装说明:DIMM, DIMM232,40
针数:232Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间:32 ns其他特性:SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):1200 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N232内存密度:1207959552 bit
内存集成电路类型:RAMBUS DRAM MODULE内存宽度:36
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:232
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:32MX36
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM232,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):225电源:1.8/2.5,2.5 V
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):2.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.37 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:NO LEAD端子节距:1 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MD18R1624DF0-CN1 数据手册

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MD16R1624(8/G)DF0 - CN1 for 1200MHz  
MD18R1624(8/G)DF0 - CN1 for 1200MHz  
32 Bit RIMM® Module  
Change History  
Version 1.0 (January 2003)  
* First copy.  
* Based on Version 1.0 (July 2002) 256/288Mbit D-die 32 bit RIMM Datasheet  
Version 1.0 January 2003  

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