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MD18R326GAG0-CM8

更新时间: 2024-11-24 17:39:15
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 253K
描述
Rambus DRAM Module, 256MX36, 40ns, CMOS, RIMM-232

MD18R326GAG0-CM8 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DMA包装说明:DIMM, DIMM232,40
针数:232Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间:40 ns其他特性:SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):400 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N232内存密度:9663676416 bit
内存集成电路类型:RAMBUS DRAM MODULE内存宽度:36
功能数量:1端口数量:1
端子数量:232字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256MX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM232,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8/2.5,2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:32768自我刷新:YES
最大待机电流:1.496 A子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:3.35 mA最大供电电压 (Vsup):2.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.37 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MD18R326GAG0-CM8 数据手册

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MD18R3268(G)AG0  
Change History  
Version 0.1 (Sept. 2003)- Preliminary  
* First copy.  
* Based on version 1.0 (July 2002) 256/288Mbit D-die 32 Bit RIMMModule Datasheet  
Version 1.0 (Feb. 2004)  
* Eliminate “Preliminary”  
Version 1.0 Feb. 2004  

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