是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 7.55 | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率: | 50 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 15 mA | 最大直流栅极触发电压: | 1 V |
最大维持电流: | 30 mA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 最大漏电流: | 0.01 mA |
湿度敏感等级: | 1 | 通态非重复峰值电流: | 80 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大通态电流: | 8000 A | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 8 A | 断态重复峰值电压: | 600 V |
重复峰值反向电压: | 600 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BT300S-600R,118 | NXP |
功能相似 |
BT300S-600R | |
TN815-800B-TR | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
8A SCRs | |
TN815-600B-TR | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
8A SCRs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCR8DCN | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers | |
MCR8DCN | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCN1 | ONSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),8A I(T),TO-251 | |
MCR8DCNT4 | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCNT4G | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCNT4G | LITTELFUSE |
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该硅控整流器专门用于高容量、低成本的工业和消费应用,例如电机控制、过程控制以及温度、光线和 | |
MCR8DSM | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DSM | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers | |
MCR8DSM-1 | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, MINIATURE, | |
MCR8DSMT4 | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |