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MCR100-8A

更新时间： 2024-02-16 19:16:05

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元耀 - YENYO		栅极可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
4页	146K
描述
Sensitive Gate / Silicon Controlled Rectifiers

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MCR100-8A 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.55	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	COMMERCIAL
最大均方根通态电流：	0.8 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

MCR100-8A 数据手册

MCR100-8A

0.8A SCRs

Sensitive Gate / Silicon Controlled Rectifiers

Main features

Symbol

Value

0.8A

950

Unit

I_T(RMS)

V_DRM/V_RRM

I_GT(Q1)

200

DESCRIPTION

These devices are intened to be interfaced directly to

microcontrollers, logic integrated circuits and other

low power gate trigger circuits.

Weight : 0.22 gram

TO92

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Value

Unit

RMS on-state current

( 180° conduction angle )

I_T(RMS)

0.8

F = 50Hz

F = 60Hz

t_p= 10ms

t = 10ms

t = 8.3ms

Non repetitive surge on-state current

( 1/2 Cycle,Sine Wave , Tj initial=25℃ )

I_TSM

I²t

I²t Value for fusing

0.24

A²s

Critical rate of rise of on-state current

I_G= 10mA di_G= 0.1A/us

A/us

dl/dt

Peak gate current

I_GM

Average gate power dissipation

0.1

P_G(AV)

-40 to +150

-40 to +110

T _stg

T_j

Storage junction temperature range

Operating junction temperature range

℃

APR.2009

Rev.2

1/4

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MCR100-8-A1	TSC	Thyristors	获取价格
MCR100-8-A1G	TSC	Thyristors	获取价格
MCR100-8AA	UTC	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
MCR100-8AA(SOT-89)	UTC	Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 600V V(DRM)	获取价格
MCR100-8AA(TO-92)	UTC	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)	获取价格
MCR100-8AB	UTC	Silicon Controlled Rectifier	获取价格