是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP8,.25 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.06 | Is Samacsys: | N |
高边驱动器: | NO | 接口集成电路类型: | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 4.9 mm | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
标称输出峰值电流: | 1.5 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
子类别: | MOSFET Drivers | 最大供电电压: | 18 V |
最小供电电压: | 6.5 V | 标称供电电压: | 12 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
断开时间: | 0.1 µs | 接通时间: | 0.1 µs |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MC33151DR2G | ONSEMI |
类似代替 |
High Speed Dual MOSFET Drivers |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MC33151DR2G | ONSEMI |
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High Speed Dual MOSFET Drivers | |
MC33151P | MOTOROLA |
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HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS | |
MC33151P | ONSEMI |
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High Speed Dual MOSFET Drivers | |
MC33151PG | ONSEMI |
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High Speed Dual MOSFET Drivers | |
MC33151VDR2 | ONSEMI |
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High Speed Dual MOSFET Drivers | |
MC33151VDR2G | ONSEMI |
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High Speed Dual MOSFET Drivers | |
MC33152 | ONSEMI |
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HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS | |
MC33152D | ONSEMI |
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HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS | |
MC33152D | MOTOROLA |
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HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS | |
MC33152DG | ONSEMI |
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