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MC33151VDR2G

更新时间： 2024-11-16 02:55:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 177K
描述
High Speed Dual MOSFET Drivers

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MC33151VDR2G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：HALOGEN AND LEAD FREE, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.44Is Samacsys：N
高边驱动器：NO接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：1
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
标称输出峰值电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：18 V
最小供电电压：6.5 V标称供电电压：12 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
断开时间：0.1 µs接通时间：0.1 µs
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

MC33151VDR2G 数据手册

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MC34151, MC33151  
High Speed Dual  
MOSFET Drivers  
The MC34151/MC33151 are dual inverting high speed drivers  
specifically designed for applications that require low current digital  
circuitry to drive large capacitive loads with high slew rates. These  
devices feature low input current making them CMOS and LSTTL  
logic compatible, input hysteresis for fast output switching that is  
independent of input transition time, and two high current totem pole  
outputs ideally suited for driving power MOSFETs. Also included is  
an undervoltage lockout with hysteresis to prevent erratic system  
operation at low supply voltages.  
Typical applications include switching power supplies, dc to dc  
converters, capacitor charge pump voltage doublers/inverters, and  
motor controllers.  
These devices are available in dual−in−line and surface mount  
packages.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
8
PDIP−8  
P SUFFIX  
CASE 626  
MC3x151P  
AWL  
YYWW  
8
1
1
8
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
3x151  
ALYW  
Features  
8
• Pb−Free Packages are Available  
1
1
• Two Independent Channels with 1.5 A Totem Pole Output  
• Output Rise and Fall Times of 15 ns with 1000 pF Load  
• CMOS/LSTTL Compatible Inputs with Hysteresis  
• Undervoltage Lockout with Hysteresis  
x
A
= 3 or 4  
= Assembly Location  
WL, L = Wafer Lot  
YY, Y = Year  
WW, W = Work Week  
• Low Standby Current  
• Efficient High Frequency Operation  
• Enhanced System Performance with Common Switching Regulator  
Control ICs  
PIN CONNECTIONS  
• Pin Out Equivalent to DS0026 and MMH0026  
N.C.  
1
2
3
4
8
7
6
5
N.C.  
Drive Output A  
V
CC  
Logic Input A  
GND  
6
V
CC  
+
−
+
+
+
Logic Input B  
Drive Output B  
5.7V  
+
(Top View)  
Drive Output A  
7
Logic Input A  
2
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
+
dimensions section on page 9 of this data sheet.  
+
Drive Output B  
5
Logic Input B  
4
3
GND  
Figure 1. Representative Block Diagram  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
July, 2004 − Rev. 4  
MC34151/D  
1234567...12

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