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MC33152VDG

更新时间： 2024-11-16 12:02:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 驱动器
页数 文件大小 规格书
12页 228K
描述
High Speed Dual MOSFET Drivers

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MC33152VDG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：2 weeks
风险等级：1.47高边驱动器：YES
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出峰值电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：12 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：MOSFET Drivers
最大供电电压：18 V最小供电电压：6.5 V
标称供电电压：12 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：0.12 µs
接通时间：0.12 µs宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

MC33152VDG 数据手册

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MC34152, MC33152,  
NCV33152  
High Speed Dual  
MOSFET Drivers  
The MC34152/MC33152 are dual noninverting high speed drivers  
specifically designed for applications that require low current digital  
signals to drive large capacitive loads with high slew rates. These  
devices feature low input current making them CMOS/LSTTL logic  
compatible, input hysteresis for fast output switching that is  
independent of input transition time, and two high current totem pole  
outputs ideally suited for driving power MOSFETs. Also included is  
an undervoltage lockout with hysteresis to prevent system erratic  
operation at low supply voltages.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
8
PDIP−8  
P SUFFIX  
CASE 626  
MC3x152P  
AWL  
YYWWG  
Typical applications include switching power supplies, dc−to−dc  
converters, capacitor charge pump voltage doublers/inverters, and  
motor controllers.  
8
1
1
This device is available in dual−in−line and surface mount packages.  
8
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
3x152  
Features  
8
ALYWG  
• Two Independent Channels with 1.5 A Totem Pole Outputs  
• Output Rise and Fall Times of 15 ns with 1000 pF Load  
• CMOS/LSTTL Compatible Inputs with Hysteresis  
• Undervoltage Lockout with Hysteresis  
• Low Standby Current  
1
G
1
x
A
= 3 or 4  
= Assembly Location  
WL, L = Wafer Lot  
YY, Y = Year  
• Efficient High Frequency Operation  
WW, W = Work Week  
G or G = Pb−Free Package  
• Enhanced System Performance with Common Switching Regulator  
(Note: Microdot may be in either location)  
Control ICs  
• NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Site  
and Change Controls  
PIN CONNECTIONS  
• These are Pb−Free and Halide−Free Devices  
N.C.  
Logic Input A  
GND  
1
2
3
4
8
7
6
5
N.C.  
V
CC  
6
Drive Output A  
+
V
CC  
-
5.7V  
Logic Input B  
Drive Output B  
Drive Output A  
7
(Top View)  
Logic  
Input A  
2
100k  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 10 of this data sheet.  
Drive Output B  
5
Logic  
Input B  
4
100k  
GND  
3
Figure 1. Representative Diagram  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011− Rev. 12  
MC34152/D  
1234567...12

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MC33152VDG 替代型号

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