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MC10ELT25DTR2G

更新时间： 2024-11-30 05:10:23
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安森美 - ONSEMI 转换器
页数 文件大小 规格书
8页 142K
描述
−5 V Differential ECL to TTL Translator

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MC10ELT25DTR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP, TSSOP8,.19针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：2 weeks
风险等级：5.43最大延迟：4.1 ns
接口集成电路类型：ECL TO TTL TRANSLATORJESD-30 代码：S-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：3 mm
标称负供电电压：-5 V位数：1
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出锁存器或寄存器：NONE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.19封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：+-5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm子类别：Level Translators
最大供电电压：5.5 V最小供电电压：4.5 V
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
技术：ECL温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3 mm
Base Number Matches：1

MC10ELT25DTR2G 数据手册

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MC10ELT25, MC100ELT25  
−5 VꢀDifferential ECL to TTL  
Translator  
Description  
The MC10ELT/100ELT25 is a differential ECL to TTL translator.  
Because ECL levels are used, a +5 V, −5.2 V (or −4.5 V) and ground  
are required. The small outline 8-lead package and the single gate of  
the ELT25 makes it ideal for those applications where space,  
performance and low power are at a premium.  
http://onsemi.com  
MARKING DIAGRAMS*  
The V pin, an internally generated voltage supply, is available to  
this device only. For single-ended input conditions, the unused  
BB  
8
8
8
HLT25  
ALYW  
G
KLT25  
ALYW  
G
1
differential input is connected to V as a switching reference voltage.  
BB  
V
may also rebias AC coupled inputs. When used, decouple V  
BB  
BB  
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
1
1
and V via a 0.01 mF capacitor and limit current sourcing or sinking  
CC  
to 0.5 mA. When not used, V should be left open.  
BB  
The 100 Series contains temperature compensation.  
Features  
8
8
1
8
• 2.6 ns Typical Propagation Delay  
• 100 MHz F  
• 24 mA TTL Outputs  
• Flow Through Pinouts  
1
HT25  
KT25  
ALYWG  
ALYWG  
CLK  
MAX  
TSSOP−8  
DT SUFFIX  
CASE 948R  
G
G
1
• Operating Range: V = 4.5 V to 5.5 V with GND = 0 V;  
CC  
V
EE  
= −4.2 V to −5.7 V with GND = 0 V  
• Internal Input 50 KW Pulldown Resistors  
• Q Output will default HIGH with inputs open or < 1.3 V  
• Pb−Free Packages are Available  
1
4
1
4
DFN8  
MN SUFFIX  
CASE 506AA  
H
K
= MC10  
= MC100  
A
L
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
5F = MC10  
2U = MC100  
Y
W
G
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
M
= Date Code  
(Note: Microdot may be in either location)  
*For additional marking information, refer to  
Application Note AND8002/D.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
December, 2006 − Rev. 12  
MC10ELT25/D  
12345678

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MC10ELT25DTR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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