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MBRF10L100CTC0G

更新时间： 2024-11-11 01:09:43
品牌 Logo 应用领域
TSC 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 224K
描述
Dual Common Cathode Schottky Rectifier

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MBRF10L100CTC0G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.18Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：20000 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBRF10L100CTC0G 数据手册

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MBRF10L100CT  
Taiwan Semiconductor  
CREAT BY ART  
Dual Common Cathode Schottky Rectifier  
FEATURES  
- Low power loss, high efficiency  
- Guardring for overvoltage protection  
- High surge current capability  
- UL Recognized File # E-326243  
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and  
in accordance to WEEE 2002/96/EC  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
ITO-220AB  
MECHANICAL DATA  
Case: ITO-220AB  
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free  
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified  
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102  
Meet JESD 201 class 1A whisker test  
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: As marked  
Mounting torque: 5 in-lbs maximum  
Weight: 1.7 g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
MBRF10L100CT  
SYMBOL  
VRRM  
UNIT  
100  
V
V
V
A
Maximum RMS voltage  
VRMS  
70  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
VDC  
100  
10  
IF(AV)  
Peak repetitive forward current  
(Rated VR, Square wave, 20KHz)  
IFRM  
10  
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
IRRM  
120  
1
A
A
Peak repetitive reverse surge current (Note 1)  
TYP  
0.73  
0.59  
0.82  
0.66  
TYP  
MAX  
0.76  
0.65  
0.85  
0.71  
MAX  
Maximum instantaneous forward voltage (Note 2)  
IF= 5 A, TJ=25℃  
IF= 5 A, TJ=125℃  
VF  
V
IF= 10 A, TJ=25℃  
IF= 10 A, TJ=125℃  
Maximum reverse current @ rated VR  
TJ=25 ℃  
IR  
0.3  
0.5  
20  
15  
mA  
TJ=125 ℃  
Voltage rate of change (Rated VR)  
Typical thermal resistance  
10000  
5.5  
dV/dt  
RθJC  
TJ  
V/μs  
OC/W  
OC  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +150  
- 55 to +150  
OC  
TSTG  
Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz  
Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Document Number: D1308014  
Version: F13  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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