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MBRF10L60CT-T PDF预览

MBRF10L60CT-T

更新时间： 2024-11-09 01:25:59
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竹懋 - CITC /
页数 文件大小 规格书
3页 486K
描述
10A Trench Schottky Rectifier

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MBRF10L60CT-T 数据手册

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MBRF10L60CT-T  
Chip Integration Technology Corporation  
10A Trench Schottky Rectifier  
Main Product Characteristics  
■Outline  
ITO-220AB  
K
L
IF(AV)  
VRRM  
TJ  
2 X 5A  
60V  
Dimensions in inches(millimeters)  
symbol  
A
ØP  
Min  
Max  
A
B
0.390(9.9)  
0.268(6.8)  
0.583(14.8)  
0.512(13.0)  
0.102(2.6)  
0.101(2.55)  
0.043(1.1)  
0.043(1.1)  
0.020(0.5)  
0.098(2.49)  
0.169(4.3)  
0.112(2.85)  
0.098(2.5)  
0.020(0.5)  
0.130(3.3)  
0.408(10.36)  
0.283(7.2)  
0.598(15.2)  
0.543(13.8)  
0.150(3.8)  
0.112(2.85)  
0.053(1.35)  
0.053(1.35)  
0.028(0.7)  
0.102(2.59)  
0.185(4.7)  
0.128(3.25)  
0.114(2.9)  
0.028(0.7)  
0.134(3.5)  
F
150OC  
B
C
D
E
C
D
VF(Typ)  
0.47V  
Marking code  
F
G
H
I
M
G
E
■ Features  
H
J
K
• Low forward voltage drop.  
• Excellent high temperature stability.  
• Fast switching capability.  
I
L
M
N
ØP  
J
N
• Lead-free parts meet environmental standards of  
MIL-STD-19500 /228  
Alternate  
K
L
Dimensions in inches(millimeters)  
symbol  
A
ØP  
Min  
Max  
A
B
0.383(9.72) 0.404(10.27)  
F
0.248(6.3)  
0.571(14.5)  
0.516(13.1)  
-
0.272(6.9)  
0.610(15.5)  
0.547(13.9)  
0.161(4.1)  
0.126(3.2)  
0.051(1.3)  
0.051(1.3)  
0.035(0.9)  
0.105(2.67)  
0.189(4.8)  
0.122(3.1)  
0.117(2.96)  
0.031(0.8)  
0.142(3.6)  
B
C
D
E
■ Mechanical Data  
C
D
Marking code  
F
0.094(2.4)  
0.039(1.0)  
0.039(1.0)  
0.020(0.5)  
0.095(2.41)  
0.169(4.3)  
0.055(1.4)  
0.091(2.3)  
0.014(0.35)  
0.122(3.1)  
• Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant.  
• Case : JEDEC ITO-220AB molded plastic body.  
• Terminals : Solder plated, solderable per  
MIL-STD-750, Method 202. 6  
• Polarity: As marked.  
• Weight : Approximated 2.25 gram.  
G
H
I
M
G
E
H
J
K
I
L
M
N
ØP  
J
N
Dimensions in inches and (millimeters)  
■ Circuit Diagram  
■ Maximum Ratings  
Rating at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Condition  
Symbol  
VRWM  
IO  
UNIT  
V
MBRF10L60CT-T  
60  
Working peak reverse voltage  
Forward Rectified Current (total device)  
10  
A
A
8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rate load (JEDEC method)  
Forward Surge Current (per diode)  
IFSM  
150  
Pulse width 2us, 1000Hz, square wave  
IRRM  
(per diode)  
Peak Repetitive Reverse Surge Current  
2
A
at TA 25oC,10 cycles  
RθJC  
RθJA  
TSTG  
TJ  
Junction to case  
8
OC/W  
Thermal Resistance (per diode)  
Junction to ambient  
50  
OC  
OC  
Storage Temperature  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
Operating Junction Temperature  
■ Electrical Characteristics  
Rating at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Condition  
IF = 3A, TJ = 25OC  
IF = 5A, TJ = 25 OC  
IF = 5A, TJ = 125 OC  
Symbol  
VF  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
mV  
470  
Forward Voltage Drop (per diode)  
520  
470  
580  
VR = 60V , TJ = 25OC  
VR = 60V , TJ = 125OC  
IR = 0.1mA, TJ = 25OC  
0.005  
0.1  
40  
IR  
Reverse Current (per diode)  
mA  
V
3
VBR  
60  
Reverse Breakdown Voltage (per diode)  
Document ID : DS-11K044  
Revised Date : 2017/03/31  
Revision : C  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRF10U100CT KEC

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 		SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
MBRF10U100CTA KEC

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 		SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
MBRF10U150CTA KEC

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 		SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
MBRF10U200 KEC

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 		TO-220IS(2P)
MBRF10U200CTA KEC

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MBRF120100 GENESIC

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 		Silicon Power Schottky Diode
MBRF120100R GENESIC

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