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MBRF10U200CTA PDF预览

MBRF10U200CTA

更新时间： 2024-09-13 12:20:23
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KEC 二极管局域网快速恢复二极管
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2页 44K
描述
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

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MBRF10U200CTA 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220IS(1), 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.74
Is Samacsys：N应用：FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBRF10U200CTA 数据手册

 浏览型号MBRF10U200CTA的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
MBRF10U200CTA  
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING MODE POWER SUPPLY APPLICATION.  
CONVERTER & CHOPPER APPLICATION.  
C
A
FEATURES  
· Average Output Rectified Current  
: IO=10A.  
DIM MILLIMETERS  
E
_
10.16 0.2  
+
A
B
C
D
E
_
15.87 0.2  
+
· Repetitive Peak Reverse Voltage  
: VRRM=200V.  
_
2.54 0.2  
+
_
0.8 0.1  
+
_
+
3.18  
0.1  
· Fast Reverse Recovery Time : trr=35ns.  
_
3.3 0.1  
+
F
_
12.57 0.2  
+
G
H
J
L
M
_
0.5 0.1  
+
R
_
13.0 0.5  
+
_
K
L
3.23 0.1  
+
D
1.47 MAX  
1.47 MAX  
M
N
O
Q
R
N
N
H
_
2.54 0.2  
+
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
_
6.68 0.2  
+
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VRRM  
RATING  
200  
UNIT  
V
1. ANODE  
2. CATHODE  
3. ANODE  
_
4.7  
+
_
0.2  
2.76 0.2  
+
1
2
3
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Output Rectified  
IO  
10  
A
A
Current (Tc=118℃) (Note)  
Peak One Cycle Surge Forward  
Current (Non-Repetitive 60Hz)  
TO-220IS (1)  
IFSM  
100  
Tj  
Junction Temperature  
-40∼ 150  
-55∼ 150  
℃
℃
Tstg  
Storage Temperature Range  
2
Note : average forward current of centertap full wave connection.  
1
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VFM  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
-
MAX.  
0.95  
UNIT  
IFM=5A  
Peak Forward Voltage  
(Note)  
-
-
V
Repetitive Peak  
Reverse Current  
IRRM  
VRRM=Rated  
-
50  
㎂
(Note)  
(Note)  
(Note)  
trr  
Reverse Recovery Time  
Thermal Resistance  
IF=1.0A, di/dt=-30A/㎲  
-
-
-
-
35  
ns  
Rth(j-c)  
Juction to Case  
4.5  
℃/W  
Note : A value of one cell  
2010. 9. 28  
Revision No : 0  
1/1  
12

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