MBR850

更新时间： 2025-08-26 19:53:47

品牌	Logo	应用领域
虹扬 - HY		/
页数	文件大小	规格书
2页	101K
描述
Package:TO-220AC; VRRM(V):50; IF(A):8.0; IFSM(A):150; VF(V):0.80; IR(uA):100;

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MBR850 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.95 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	50 V	最大反向电流：	100 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

MBR850 数据手册

MBR830 thru MBR8100

REVERSE VOLTAGE - 30 to 100Volts

FORWARD CURRENT - 8.0 Amperes

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

TO-220AC

FEATURES

.187(4.7)

●Metal of silicon rectifier , majority carrier conduction

.108

(2.75)

.148(3.8)

.055(1.4)

.047(1.2)

.153(3.9)

.146(3.7)

.413(10.5)

.374(9.5)

●Guard ring for transient protection

●Low power loss,high efficiency

●High current capability,low VF

.270(6.9)

.230(5.8)

●High surge capacity

●Plastic package has UL flammability

.610(15.5)

.583(14.8)

classification 94V-0

●For use in low voltage,high frequency inverters,free

wheeling,and polarity protection applications

.04 MAX

(1.0)

.157

(4.0)

.583(14.8)

.531(13.5)

.051

(1.3)

MECHANICAL DATA

●Case: TO-220AC molded plastic

●Polarity: As marked on the body

●Weight: 0.08ounces,2.24 grams

●Mounting position :Any

.043(1.1)

.032(0.8)

.024(0.6)

.012(0.3)

.102(2.6)

.091(2.3)

.126

(3.2)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

SYMBOL MBR830 MBR840 MBR850 MBR860 MBR880 MBR8100

UNIT

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward

I(AV)

8.0

Rectified Current ( See Fig.1)

Peak Forward Surge Current

IFSM

150

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

0.70

0.57

0.84

0.80

0.70

0.95

0.85

0.75

0.95

0.1

Peak Forward Voltage (Note1)

IF=8A @TJ=25℃

IF=8A @TJ=125℃

IF=16A @TJ=25℃

@TJ=25℃

0.1

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Bolcking Voltage

@TJ=125℃

250

3.0

280

2.0

Typical Junction Capacitance (Note2)

Typical Thermal Resistance (Note3)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

RθJC

℃/W

℃

-55 to +150

-55 to +175

TSTG

℃

NOTES:1.300us pulse width,2% duty cycle.

2.Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0V DC.

3.Thermal resistance junction to case.

~ 228 ~

中文翻译

下载PDF

与MBR850相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBR850(TO-220A)	JCST	获取价格	Rectifier Diode,
MBR850CT	PANJIT	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR850D	PANJIT	获取价格	D2PAK SURFACE MOUNTSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR850DC	PANJIT	获取价格	D2PAK SURFACE MOUNTSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR850F	PANJIT	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR850FCT	PANJIT	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR860	DIODES	获取价格	8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR860	SIRECTIFIER	获取价格	肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二
MBR860	BL Galaxy Electrical	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR860	SHUNYE	获取价格	最大反向峰值电压 : 60 ;最大平均正向电流 : 8.0 ;最大正向浪涌电流 : 150

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBR850

MBR850 技术参数

MBR850 数据手册

与MBR850相关器件

与MBR850相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBR850

MBR850 技术参数

MBR850 数据手册

与MBR850相关器件

与MBR850相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？