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MBR860

更新时间： 2024-02-13 06:20:02
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强茂 - PANJIT 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR860 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.36
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.53 V
JEDEC-95代码：TO-277BJESD-30 代码：R-PDSO-F3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：275 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MBR860 数据手册

 浏览型号MBR860的Datasheet PDF文件第2页 
MBR840~MBR8200  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
8 Amperes  
CURRENT  
VOLTAGE  
40 to 200 Volts  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O utilizing  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228  
• Low power loss, high efficiency.  
• Low forwrd voltge, high current capability  
• High surge capacity.  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
.058(1.47)  
.042(1.07)  
MECHANICALDATA  
• Case: TO-220AC plastic package  
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
• Mounting Position: Any  
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR840  
MBR845 MBR850 MBR860 MBR880 MBR890 MBR8100 MBR8150 MBR8200  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
8
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
28  
40  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward (See Figure 1)  
VDC  
100  
V
IF(AV)  
A
A
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-  
wave superimposed on rated load(JEDEC method)  
IFSM  
150  
Maximum Forward Voltage at 8.0A  
VF  
0.70  
0.75  
0.80  
0.90  
V
Maximum DC Reverse Current TJ=25O  
C
0.05  
20  
IR  
mA  
O C / W  
O C  
at Rated DC Blocking Voltage TJ=100O  
C
Typical Thermal Resistance  
RθJC  
3
-55 to +150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-65 to +175  
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.  
STAD-APR.30.2009  
PAGE . 1  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR860CT KERSEMI

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 		Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
MBR860CT PANJIT

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
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 		SWITCHMODE Power Rectifiers
MBR860ULPS-TP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, TO-277B,

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