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MBR860D

更新时间： 2024-01-12 23:28:21
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT /
页数 文件大小 规格书
3页 120K
描述
D2PAK SURFACE MOUNTSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR860D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.36
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.53 V
JEDEC-95代码：TO-277BJESD-30 代码：R-PDSO-F3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：275 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MBR860D 数据手册

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MBR840D~MBR8200D  
D2PAK SURFACE MOUNTSCHOTTKYBARRIER RECTIFIER  
CURRENT  
8 Ampere  
VOLTAGE  
40 to 200 Volts  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O utilizing  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228  
• Low power loss, high efficiency.  
• Low forwrd voltge, high current capability  
• High surge capacity.  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICALDATA  
• Case: TO-263/D2PAK molded plastic package  
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
• Mounting Position: Any  
• Weight: 0.0514 ounces, 1.46 grams.  
MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.  
MBR840D MBR845D MBR850D MBR860D MBR880D MBR890D MBR8100D MBR8150D MBR8200D  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward (See Figure 1)  
VDC  
100  
V
IF(AV)  
8
A
A
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-  
wave superimposed on rated load(JEDEC method)  
IFSM  
150  
Maximum Forward Voltage at 8.0A  
VF  
0.70  
0.75  
0.80  
0.90  
V
Maximum DC Reverse Current TJ=25O  
C
0.05  
20  
IR  
mA  
O C / W  
O C  
at Rated DC Blocking Voltage TJ=100O  
C
Typical Thermal Resistance  
RθJC  
3
-55 to +150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-65 to +175  
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.  
STAD-APR.30.2009  
PAGE . 1  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR860DC PANJIT

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 		D2PAK SURFACE MOUNTSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR860F PANJIT

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