MBR860

更新时间： 2024-02-14 13:06:50

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SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR860 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.36
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.53 V
JEDEC-95代码：	TO-277B	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	275 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	500 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

MBR860 数据手册

MBR830 thru MBR8100

REVERSE VOLTAGE - 30 to 100Volts

FORWARD CURRENT - 8.0 Amperes

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

TO-220AC

FEATURES

.187(4.7)

●Metal of silicon rectifier , majority carrier conduction

.108

(2.75)

.148(3.8)

.055(1.4)

.047(1.2)

.153(3.9)

.146(3.7)

.413(10.5)

.374(9.5)

●Guard ring for transient protection

●Low power loss,high efficiency

●High current capability,low VF

.270(6.9)

.230(5.8)

●High surge capacity

●Plastic package has UL flammability

.610(15.5)

.583(14.8)

classification 94V-0

●For use in low voltage,high frequency inverters,free

wheeling,and polarity protection applications

.04 MAX

(1.0)

.157

(4.0)

.583(14.8)

.531(13.5)

.051

(1.3)

MECHANICAL DATA

●Case: TO-220AC molded plastic

●Polarity: As marked on the body

●Weight: 0.08ounces,2.24 grams

●Mounting position :Any

.043(1.1)

.032(0.8)

.024(0.6)

.012(0.3)

.102(2.6)

.091(2.3)

.126

(3.2)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

SYMBOL MBR830 MBR840 MBR850 MBR860 MBR880 MBR8100

UNIT

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward

I(AV)

8.0

Rectified Current ( See Fig.1)

Peak Forward Surge Current

IFSM

150

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

0.70

0.57

0.84

0.80

0.70

0.95

0.85

0.75

0.95

0.1

Peak Forward Voltage (Note1)

IF=8A @TJ=25℃

IF=8A @TJ=125℃

IF=16A @TJ=25℃

@TJ=25℃

0.1

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Bolcking Voltage

@TJ=125℃

250

3.0

280

2.0

Typical Junction Capacitance (Note2)

Typical Thermal Resistance (Note3)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

RθJC

℃/W

℃

-55 to +150

-55 to +175

TSTG

℃

NOTES:1.300us pulse width,2% duty cycle.

2.Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0V DC.

3.Thermal resistance junction to case.

~ 228 ~

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