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MBR860 PDF预览

MBR860

更新时间： 2024-02-19 21:17:47
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 84K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR860 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.36
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.53 V
JEDEC-95代码：TO-277BJESD-30 代码：R-PDSO-F3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：275 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MBR860 数据手册

 浏览型号MBR860的Datasheet PDF文件第2页 
MBR850 thru MBR860  
Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers  
Dimensions TO-220AC  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
0.500 0.580  
0.560 0.650  
0.380 0.420  
0.139 0.161  
2.300 0.420  
0.100 0.135  
0.045 0.070  
12.70 14.73  
14.23 16.51  
9.66 10.66  
A
C
C(TAB)  
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
-
4.08  
6.85  
3.42  
1.77  
6.35  
0.89  
5.33  
4.82  
0.56  
2.49  
1.39  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
-
0.250  
0.025 0.035  
0.190 0.210  
0.140 0.190  
0.015 0.022  
0.080 0.115  
0.025 0.055  
0.64  
4.83  
3.56  
0.38  
2.04  
0.64  
MBR850  
MBR860  
50  
35  
50  
60  
60  
42  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=125oC  
8
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
IFSM  
150  
dv/dt  
Voltage Rate Of Change (Rated VR)  
10000  
V/us  
IF=8A @TJ=125oC  
Maximum Forward  
0.70  
0.80  
0.95  
VF  
IF=8A @TJ=25oC  
V
Voltage (Note 1)  
IF=16A @TJ=25oC  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
0.1  
15  
IR  
mA  
@TJ=125oC  
3.0  
oC/W  
pF  
oC  
ROJC  
CJ  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
250  
-55 to +150  
-55 to +175  
TJ  
TSTG  
oC  
NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.  
2. Thermal Resistance Junction To Case.  
3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* High current capability, low VF  
* Case: TO-220AC molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* High surge capacity  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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