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MBR860 PDF预览

MBR860

更新时间： 2024-02-18 00:53:13
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美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效局域网
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2页 67K
描述
8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR860 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.36
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.53 V
JEDEC-95代码：TO-277BJESD-30 代码：R-PDSO-F3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：275 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MBR860 数据手册

 浏览型号MBR860的Datasheet PDF文件第2页 
MBR830 - MBR860  
8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
TO-220AC  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Application  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
L
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
¾
Max  
15.88  
10.67  
3.43  
B
M
C
D
E
·
·
K
A
6.86  
6.35  
1
2
G
J
12.70  
0.51  
14.73  
1.14  
G
Mechanical Data  
K
L
3.53Æ 4.09Æ  
J
N
3.56  
1.14  
0.30  
2.03  
4.83  
4.83  
1.40  
0.64  
2.92  
5.33  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
M
N
P
R
P
·
·
·
·
Polarity: See Diagram  
Pin 1  
Pin 2  
Case  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
R
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
MBR  
830  
MBR  
835  
MBR  
840  
MBR  
845  
MBR  
850  
MBR  
860  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
8.0  
@ TC = 125°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
IFSM  
IRRM  
VFM  
8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
150  
1.0  
A
A
Repetitive Peak Reverse Surge Current  
@ t £ 2.0ms  
Forward Voltage Drop  
@ IF = 8.0A, TC = 125°C  
0.57  
0.70  
0.84  
0.70  
0.80  
0.95  
@ IF = 8.0A, TC  
@ IF = 16A, TC  
=
=
25°C  
25°C  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC  
=
25°C  
0.1  
15  
IRM  
mA  
@ TC = 125°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
250  
3.0  
pF  
K/W  
V/ms  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
dV/dt  
Tj, TSTG  
1000  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS30030 Rev. B-4  
1 of 2  
MBR830-MBR860  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, TO-277B,

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