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MB84VD23280EA-90PBS

更新时间: 2024-11-30 13:11:11
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富士通 - FUJITSU 闪存
页数 文件大小 规格书
45页 720K
描述
Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA101, PLASTIC, FBGA-101

MB84VD23280EA-90PBS 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:LFBGA, BGA101,12X14,32Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.08
Is Samacsys:N最长访问时间:90 ns
其他特性:ALSO INCLUDED 512K X 16 SRAMJESD-30 代码:R-PBGA-B101
JESD-609代码:e0长度:12 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
内存宽度:16混合内存类型:FLASH+SRAM
功能数量:1端子数量:101
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA101,12X14,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.053 mA最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11 mmBase Number Matches:1

MB84VD23280EA-90PBS 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-50211-1E  
Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM  
CMOS  
64M (×8/×16) FLASH MEMORY &  
8M (×8/×16) STATIC RAM  
MB84VD23280EA-90/MB84VD23280EE-90  
FEATURES  
• Power supply voltage of 2.7 V to 3.3 V  
• High performance  
90 ns maximum access time (Flash)  
70 ns maximum access time (SRAM)  
• Operating Temperature  
–25 °C to +85 °C  
• Package 101-ball BGA  
(Continued)  
PRODUCT LINEUP  
Flash Memory  
SRAM  
+0.3V  
–0.3 V  
Ordering Part No.  
MB84VD23280EA-90/MB84VD23280EE-90  
VCCf, VCCs = 3.0 V  
Max. Address Access Time (ns)  
Max. CE Access Time (ns)  
Max. OE Access Time (ns)  
90  
90  
35  
70  
70  
35  
PACKAGE  
101-pin plastic FBGA  
BGA-101P-M01  

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