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M68AW256ML55ND1E

更新时间： 2024-09-19 04:42:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
23页 157K
描述
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

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M68AW256ML55ND1E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：18.41 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.000009 A最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.026 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M68AW256ML55ND1E 数据手册

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M68AW256M  
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
■
■
■
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
256K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns,  
70ns  
Figure 1. Packges  
■
■
■
■
■
■
SINGLE BYTE READ/WRITE  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW VCC DATA RETENTION: 1.5V  
TRI-STATE COMMON I/O  
AUTOMATIC POWER DOWN  
TSOP44, and TFBGA48 PACKAGES  
44  
1
–
Compliant with Lead-Free Soldering Pro-  
cesses  
TSOP44 Type II (ND)  
–
Standard or Lead-Free Option  
FBGA  
TFBGA48 (ZH)  
6 x 8mm  
FBGA  
TFBGA48 (ZB)  
7 x 8mm  
April 2004  
1/23  
 
 
1234567...23

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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