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M68AW256ML70ND6

更新时间: 2024-11-25 02:52:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
23页 157K
描述
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

M68AW256ML70ND6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:PLASTIC, TSOP2-44
针数:44Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.8最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:18.41 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000009 A最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

M68AW256ML70ND6 数据手册

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M68AW256M  
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
256K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns,  
70ns  
Figure 1. Packges  
SINGLE BYTE READ/WRITE  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW VCC DATA RETENTION: 1.5V  
TRI-STATE COMMON I/O  
AUTOMATIC POWER DOWN  
TSOP44, and TFBGA48 PACKAGES  
44  
1
Compliant with Lead-Free Soldering Pro-  
cesses  
TSOP44 Type II (ND)  
Standard or Lead-Free Option  
FBGA  
TFBGA48 (ZH)  
6 x 8mm  
FBGA  
TFBGA48 (ZB)  
7 x 8mm  
April 2004  
1/23  
 
 

M68AW256ML70ND6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M68AW256ML70ND6T STMICROELECTRONICS

完全替代

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