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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.000009 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M68AW256MN55ND6T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZB1 | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZB1E | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZB1F | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZB1T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZB6 | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZB6E | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZB6F | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZB6T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZH1 | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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