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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 7 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.9 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.000009 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 7 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M68AW256MN55ZH1 | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZH1E | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZH1F | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZH1T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZH6 | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZH6E | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZH6F | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN55ZH6T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN70ND1 | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW256MN70ND1E | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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