5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 7 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.000009 A |
| 最小待机电流： | 1.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.01 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M68AW256MN70ZB1F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN70ZB1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN70ZB6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN70ZB6E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN70ZB6F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN70ZB6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN70ZH1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN70ZH1E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN70ZH1F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN70ZH1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
