5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
静态存储器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 23页 | 157K |  |
| 描述 | ||
| 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 7 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.82 | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.000009 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M68AW256MN55ZB6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN55ZH1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN55ZH1E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN55ZH1F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN55ZH1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN55ZH6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN55ZH6E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN55ZH6F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN55ZH6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AW256MN70ND1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
