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M68AW256ML55ZB6

更新时间： 2024-09-19 04:42:27

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M68AW256ML55ZB6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	7 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000009 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.026 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

M68AW256M

4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V

256K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE

EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns,

70ns

Figure 1. Packges

■

SINGLE BYTE READ/WRITE

LOW STANDBY CURRENT

LOW V_CCDATA RETENTION: 1.5V

TRI-STATE COMMON I/O

AUTOMATIC POWER DOWN

TSOP44, and TFBGA48 PACKAGES

–

Compliant with Lead-Free Soldering Pro-

cesses

TSOP44 Type II (ND)

–

Standard or Lead-Free Option

FBGA

TFBGA48 (ZH)

6 x 8mm

FBGA

TFBGA48 (ZB)

7 x 8mm

April 2004

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