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M68AW256DL55ZB6T

更新时间: 2024-11-21 11:26:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
20页 105K
描述
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

M68AW256DL55ZB6T 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e1
长度:7 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:1.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.026 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:6 mmBase Number Matches:1

M68AW256DL55ZB6T 数据手册

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M68AW256DL  
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
256K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns  
SINGLE BYTE READ/WRITE  
Figure 1. Packages  
44  
LOW STANDBY CURRENT  
1
LOW V DATA RETENTION: 1.5V  
CC  
TRI-STATE COMMON I/O  
TSOP44 Type II (ND)  
AUTOMATIC POWER DOWN  
DUAL CHIP ENABLE for EASY DEPTH  
EXPANSION  
BGA  
TFBGA48 (ZB)  
7 x 8 mm  
June 2002  
1/20  

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