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M68AW256M70ZB6T

更新时间： 2024-11-08 20:49:23

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	109K
描述
256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48

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M68AW256M70ZB6T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.83	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00002 A	最小待机电流：	1 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7 mm
Base Number Matches：	1

M68AW256M

M68AW256ML

4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V

Figure 1. Packages

■ 256K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE

■ EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns

■ LOW STANDBY CURRENT

■ LOW V DATA RETENTION: 1.0V

■ TRI-STATE COMMON I/O

■ AUTOMATIC POWER DOWN

TSOP44 Type II (ND)

BGA

TFBGA48 (ZB)

6 x 8 ball array

July 2001

1/19

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