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M68AW256M70ZB6

更新时间: 2024-11-25 21:15:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 109K
描述
IC,SRAM,256KX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC

M68AW256M70ZB6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:TFBGA-48
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e1
长度:8 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:1 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.015 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7 mmBase Number Matches:1

M68AW256M70ZB6 数据手册

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M68AW256M  
M68AW256ML  
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Packages  
256K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns  
LOW STANDBY CURRENT  
44  
LOW V DATA RETENTION: 1.0V  
CC  
1
TRI-STATE COMMON I/O  
AUTOMATIC POWER DOWN  
TSOP44 Type II (ND)  
BGA  
TFBGA48 (ZB)  
6 x 8 ball array  
July 2001  
1/19  

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