是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.83 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00002 A |
最小待机电流: | 1 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 7 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M68AW256DL | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW256DL55ND1T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW256DL55ND6 | STMICROELECTRONICS |
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256KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 | |
M68AW256DL55ND6T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW256DL55ZB1T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW256DL55ZB6 | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 | |
M68AW256DL55ZB6T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW256DL70ND1 | STMICROELECTRONICS |
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256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 | |
M68AW256DL70ND1T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW256DL70ND6 | STMICROELECTRONICS |
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