5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> M5M29FT800VP-12I
M5M29FT800VP-12I PDF预览

M5M29FT800VP-12I

更新时间： 2024-11-07 13:10:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 155K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

M5M29FT800VP-12I 数据手册

 浏览型号M5M29FT800VP-12I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M5M29FT800VP-12I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M5M29FT800VP-12I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M5M29FT800VP-12I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M5M29FT800VP-12I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M5M29FT800VP-12I的Datasheet PDF文件第7页 
MITSUBISHI LSIs  
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608-BIT (1048,576-WORD BY 8-BIT / 524,288-WORD BY16-BIT)  
CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY  
DESCRIPTION  
The MITSUBISHI M5M29FB/T800FP, VP, RV are 3.3V-only high speed 8,388,608-bit CMOS boot block Flash Memories suitable for  
mobile and personal computing, and communication products. The M5M29FB/T800FP, VP, RV are fabricated by CMOS technology for  
the peripheral circuits and DINOR(Divided bit line NOR) architecture for the memory cells, and are available in 44pin SOP or 48pin  
TSOP(I).  
FEATURES  
.................................  
.................................  
Organization  
524,288 word x 16bit  
1,048,576 word x 8 bit  
VCC = 3.3V±0.3V  
.............................  
..............................  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
Supply voltage ................................  
Access time  
80/100/120ns (Max)  
Power Dissipation  
Read  
RESET/  
.......................  
.......................  
.......................  
108 mW (Max.)  
144 mW (Max.)  
0.72 mW (Max.)  
3.3µW (typ.)  
POWER DOWN  
INPUT  
/RP  
1
2
44  
NC  
A18  
A17  
Program/Erase  
Standby  
WRITE ENABLE  
INPUT  
43  
/WE  
3
42  
41  
A8  
A9  
.......................  
Deep power down mode  
Auto program  
Program Time  
4
5
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
40  
39  
A10  
A11  
A12  
A13  
A14  
A15  
A16  
.......................  
.................................  
7.5ms (typ.)  
128word  
6
ADDRESS  
INPUTS  
Program Unit  
Auto Erase  
Erase time  
Erase Unit  
ADDRESS  
INPUTS  
7
8
9
38  
37  
.................................  
50 ms (typ.)  
36  
35  
34  
33  
.................................  
........................  
10  
11  
12  
Boot Block  
8Kword / 16Kbyte x 1  
4Kword / 8Kbyte x 2  
16Kword / 32Kbyte x 1  
32Kword / 64Kbyte x 15  
A0  
/CE  
Parameter Block  
CHIP ENABLE  
INPUT  
BYTE ENABLE  
INPUT  
.......................  
...........................  
.......................................  
/BYTE  
GND  
Main Block  
13  
14  
32  
31  
30  
29  
28  
GND  
/OE  
DQ0  
OUTPUT ENABLE  
INPUT  
Program/Erase cycles  
100Kcycles  
DQ15/A-1  
DQ7  
15  
16  
17  
Boot Block  
DQ8  
DQ1  
DQ9  
DQ2  
DQ10  
DQ3  
DQ11  
DQ14  
DQ6  
...........................  
...........................  
M5M29FB800  
M5M29FT800  
Other Functions  
Bottom Boot  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
Top Boot  
18  
19  
20  
27  
26  
25  
DQ13  
DQ5  
Software Command Control  
Selective Block Lock  
Erase Suspend/Resume  
Program Suspend/Resume  
Status Register Read  
Sleep  
DQ12  
DQ4  
21  
22  
24  
23  
VCC  
Outline 600mil 44-pin SOP  
(FP: 44P2A-A)  
Package  
48-Lead, 12mmx 20mm TSOP (type-I)  
44-Lead SOP  
APPLICATION  
Code Storage PC BIOS  
Digital Cellular Phone/Telecommunication  
1
2
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
A16  
A16  
1
2
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
A15  
A14  
A15  
/BYTE  
/BYTE  
A14  
A13  
3
3
GND  
GND  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A12  
A11  
A10  
A9  
4
4
DQ15/A-1 DQ15/A-1  
5
5
DQ7  
DQ7  
6
DQ14  
DQ14  
6
7
DQ6  
7
DQ6  
8
8
A8  
DQ13  
DQ13  
A8  
9
DQ5  
DQ5  
9
NC  
NC  
/WE  
/RP  
NC  
NC  
/WE  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
DQ12  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
DQ12  
DQ4  
VCC  
DQ4  
VCC  
/RP  
M5M29FB/T800VP  
M5M29FB/T800RV  
NC  
DQ11  
DQ3  
NC  
DQ11  
DQ3  
/WP  
/WP  
RY/BY  
A18  
RY/BY  
DQ10  
DQ10  
DQ2  
DQ2  
A18  
A17  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A17  
A7  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
/OE  
GND  
/CE  
A0  
DQ9  
DQ1  
A6  
DQ8  
A5  
DQ0  
/OE  
A4  
A3  
A2  
A1  
28  
27  
26  
25  
GND  
/CE  
23  
24  
A0  
Outline 48pin TSOP type-I (12 X 20mm)  
VP(Normal bend): 48P3R-B  
RV(Reverse bend): 48P3R-C  
NC : NO CONNECTION  
This product is compatible with HN29WB/T800 by Hitachi Ltd.  
1
1
May 1997 , Rev.6.1  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

与M5M29FT800VP-12I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M29FT800VP-12V MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48
M5M29FT800VP-80 MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 1MX8, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48
M5M29FT800VP-801 MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 1MX8, 80ns, PDSO48
M5M29FT800VP-80I MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 1MX8, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48
M5M29GB MITSUBISHI

获取价格

 		16,777,216-BIT (1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY
M5M29GB008AWG1I MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 1MX8, 120ns, PBGA48
M5M29GB008AWG-8I MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 1MX8, 100ns, PBGA48, 7 X 8.50 MM, 0.75 MM PITCH, CSP-48
M5M29GB160BVP MITSUBISHI

获取价格

 		16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT)CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERAS
M5M29GB160BVP-80 MITSUBISHI

获取价格

 		16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT)CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERAS
M5M29GB160BVP-90 MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 2MX8, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

与M5M29FT800VP-12I相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证