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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.42 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | USER CONFIGURABLE AS 512K X 16 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 12 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M5M29FT800VP-12I | MITSUBISHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| M5M29FT800VP-12V | MITSUBISHI |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48 |
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| M5M29FT800VP-80 | MITSUBISHI |
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Flash, 1MX8, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
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| M5M29FT800VP-801 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 80ns, PDSO48 |
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| M5M29FT800VP-80I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
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| M5M29GB | MITSUBISHI |
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16,777,216-BIT (1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY |
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| M5M29GB008AWG1I | MITSUBISHI |
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Flash, 1MX8, 120ns, PBGA48 |
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| M5M29GB008AWG-8I | MITSUBISHI |
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Flash, 1MX8, 100ns, PBGA48, 7 X 8.50 MM, 0.75 MM PITCH, CSP-48 |
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| M5M29GB160BVP | MITSUBISHI |
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16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT)CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERAS |
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| M5M29GB160BVP-80 | MITSUBISHI |
获取价格 |
16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT)CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERAS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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