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M54HC10K1

更新时间： 2024-11-04 04:10:23
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 输入元件
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8页 107K
描述
RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT NAND GATE

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M54HC10K1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DFP
包装说明：DFP, FL14,.3针数：14
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.42系列：HC/UH
JESD-30 代码：R-CDFP-F14JESD-609代码：e0
长度：9.95 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：NAND GATE最大I（ol）：0.004 A
功能数量：3输入次数：3
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DFP封装等效代码：FL14,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：22 ns传播延迟（tpd）：110 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：6 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：4.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
总剂量：50k Rad(Si) V宽度：6.91 mm
Base Number Matches：1

M54HC10K1 数据手册

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M54HC10  
RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT NAND GATE  
■
■
■
■
■
■
■
HIGH SPEED:  
= 8ns (TYP.) at V = 6V  
t
PD  
CC  
LOW POWER DISSIPATION:  
= 1µA(MAX.) at T =25°C  
I
CC  
A
HIGH NOISE IMMUNITY:  
= V = 28% V (MIN.)  
V
NIH  
NIL  
CC  
DILC-14  
FPC-14  
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:  
|I | = I = 4mA (MIN)  
OH  
OL  
BALANCED PROPAGATION DELAYS:  
t
t
ORDER CODES  
PACKAGE  
PLH  
PHL  
WIDE OPERATING VOLTAGE RANGE:  
(OPR) = 2V to 6V  
FM  
EM  
V
CC  
DILC  
FPC  
M54HC10D  
M54HC10K  
M54HC10D1  
M54HC10K1  
PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH  
54 SERIES 10  
■
■
SPACE GRADE-1: ESA SCC QUALIFIED  
50 krad QUALIFIED, 100 krad AVAILABLE ON  
REQUEST  
NO SEL UNDER HIGH LET HEAVY IONS  
IRRADIATION  
The internal circuit is composed of 3 stages  
including buffer output, which enables high noise  
immunity and stable output.  
All inputs are equipped with protection circuits  
against static discharge and transient excess  
voltage.  
■
■
DEVICE FULLY COMPLIANT WITH  
SCC-9201-107  
DESCRIPTION  
The M54HC10 is an high speed CMOS TRIPLE  
3-INPUT NAND GATE fabricated with silicon gate  
2
C MOS technology.  
PIN CONNECTION  
March 2004  
1/8  
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