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M374S3323ETS-L7C PDF预览

M374S3323ETS-L7C

更新时间： 2024-11-12 20:42:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 72K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168

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M374S3323ETS-L7C 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM,针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.36风险等级：5.84
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-XDMA-N168
内存密度：2415919104 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32MX72
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：Not Qualified自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

M374S3323ETS-L7C 数据手册

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M374S3323ETS  
PC133 Unbuffered DIMM  
M374S3323ETS SDRAM DIMM  
32Mx72 SDRAM DIMM with ECC based on 16Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURE  
• Performance range  
The Samsung M374S3323ETS is a 32M bit x 72 Synchronous  
Dynamic RAM high density memory module. The Samsung  
M374S3323ETS consists of eighteen CMOS 16M x 8 bit with  
4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a  
2K EEPROM in 8-pin TSOP package on a 168-pin glass-epoxy  
substrate. Two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the  
printed circuit board in parallel for each SDRAM.  
Part No.  
Max Freq. (Speed)  
M374S3323ETS-C/L7C 133MHz (7.5ns @ CL=2)  
M374S3323ETS-C/L7A 133MHz (7.5ns @ CL=3)  
• Burst mode operation  
• Auto & self refresh capability (4096 Cycles/64ms)  
• LVTTL compatible inputs and outputs  
• Single 3.3V ± 0.3V power supply  
The M374S3323ETS is a Dual In-line Memory Module and is  
intended for mounting into 168-pin edge connector sockets.  
Synchronous design allows precise cycle control with the use of  
system clock. I/O transactions are possible on every clock cycle.  
Range of operating frequencies, programmable latencies allows  
the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high  
performance memory system applications.  
• MRS cycle with address key programs  
Latency (Access from column address)  
Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)  
Data scramble (Sequential & Interleave)  
• All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
• Serial presence detect with EEPROM  
• PCB : Height (1,375mil), double sided component  
PIN CONFIGURATIONS (Front side/back side)  
PIN NAMES  
Pin Front Pin Front Pin Front Pin Back Pin Back Pin Back  
Pin Name  
A0 ~ A11  
Function  
Address input (Multiplexed)  
Select bank  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VSS  
29 DQM1 57 DQ18 85  
VSS  
113 DQM5 141 DQ50  
58 DQ19 86 DQ32 114 CS1 142 DQ51  
59 87 DQ33 115 RAS 143 VDD  
60 DQ20 88 DQ34 116  
61 NC 89 DQ35 117  
62 *VREF 90 118  
63 CKE1 91 DQ36 119  
BA0 ~ BA1  
DQ0 ~ DQ63  
CB0 ~ 7  
DQ0 30  
DQ1 31  
DQ2 32  
DQ3 33  
CS0  
DU  
VSS  
A0  
Data input/output  
VDD  
VSS  
A1  
A3  
A5  
A7  
A9  
144 DQ52  
145 NC  
146 *VREF  
147 NC  
148 VSS  
149 DQ53  
Check bit (Data-in/data-out)  
CLK0 ~ CLK3 Clock input  
VDD  
34  
A2  
VDD  
CKE0 ~ CKE1 Clock enable input  
DQ4 35  
DQ5 36  
DQ6 37  
A4  
64  
65  
66  
67  
68  
A6  
A8  
VSS  
92 DQ37 120  
CS0 ~ CS3  
RAS  
Chip select input  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
DQ21 93 DQ38 121  
DQ22 94 DQ39 122 BA0 150 DQ54  
DQ23 95 DQ40 123 A11 151 DQ55  
10 DQ7 38 A10/AP  
11 DQ8 39  
12 40  
13 DQ9 41  
14 DQ10 42  
15 DQ11 43  
16 DQ12 44  
17 DQ13 45  
CAS  
BA1  
VDD  
VDD  
WE  
VSS  
VSS  
96  
VSS  
124  
VDD  
152 VSS  
69 DQ24 97 DQ41 125 CLK1 153 DQ56  
DQM0 ~ 7  
VDD  
DQM  
CLK0 70 DQ25 98 DQ42 126 *A12 154 DQ57  
Power supply (3.3V)  
Ground  
VSS  
DU  
CS2  
71 DQ26 99 DQ43 127  
72 DQ27 100 DQ44 128 CKE0 156 DQ59  
73 101 DQ45 129 CS3 157 VDD  
VSS  
155 DQ58  
VSS  
VDD  
*VREF  
SDA  
Power supply for reference  
Serial data I/O  
Serial clock  
18  
VDD  
46 DQM2 74 DQ28 102 VDD 130 DQM6 158 DQ60  
19 DQ14 47 DQM3 75 DQ29 103 DQ46 131 DQM7 159 DQ61  
SCL  
20 DQ15 48  
DU  
VDD  
NC  
76 DQ30 104 DQ47 132 *A13 160 DQ62  
21 CB0  
22 CB1  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
77 DQ31 105 CB4 133  
VDD  
NC  
NC  
161 DQ63  
162 VSS  
163 CLK3  
SA0 ~ 2  
DU  
Address in EEPROM  
Don¢t use  
78  
79  
80  
81  
82  
83  
VSS  
106 CB5 134  
23  
24  
25  
26  
27  
VSS  
NC  
NC  
VDD  
WE  
NC  
CLK2 107 VSS 135  
NC  
NC  
**SDA 110 VDD 138  
**SCL 111 CAS 139 DQ48 167 **SA2  
112 DQM4 140 DQ49 168 VDD  
NC  
No connection  
CB2  
CB3  
VSS  
108  
109  
NC  
NC  
136 CB6 164 NC  
137 CB7 165 **SA0  
*
These pins are not used in this module.  
** These pins should be NC in the system  
VSS  
166 **SA1  
55 DQ16  
which does not support SPD.  
28 DQM0 56 DQ17 84  
VDD  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.  
Rev. 1.0 Nov. 2002  
1234567...9

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与M374S3323ETS-L7C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M374S3323ETU-C7A SAMSUNG

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 		SDRAM Unbuffered Module
M374S3323ETU-C7C SAMSUNG

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 		Synchronous DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
M374S3323ETU-L7A SAMSUNG

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M374S3323IUU-C7A SAMSUNG

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