Datasheet > M374S3323IUS-C7A

M374S3323IUS-C7A

更新时间： 2024-11-12 20:52:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	851K
描述
DDR DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-168

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M374S3323IUS-C7A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DMA	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	2415919104 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.036 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.26 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

M374S3323IUS-C7A 数据手册

64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM

Synchronous DRAM

SDRAM Unbuffered Module

168pin Unbuffered Module based on 128Mb I-die

64/72-bit Non ECC/ECC

54 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

Revision 1.1

June 2006

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 June 2006

1 of 26

12 3 4 5 6 7...26

中文翻译

下载PDF

与M374S3323IUS-C7A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M374S3323IUU-C7A	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-168
M374S6453AT0-C1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168
M374S6453AT0-C80	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168
M374S6453BT0-C7A	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS, SODIMM-1684
M374S6453CTS	SAMSUNG	获取价格	M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM
M374S6453CTS-C1H	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168
M374S6453CTS-C1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168
M374S6453CTS-C7A	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
M374S6453CTS-C7C	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
M374S6453CTS-L1H	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168

与M374S3323IUS-C7A相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

9
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M374S3323IUS-C7A

M374S3323IUS-C7A 技术参数

M374S3323IUS-C7A 数据手册

与M374S3323IUS-C7A相关器件

与M374S3323IUS-C7A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M374S3323IUS-C7A

M374S3323IUS-C7A 技术参数

M374S3323IUS-C7A 数据手册

与M374S3323IUS-C7A相关器件

与M374S3323IUS-C7A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？