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M374S6453DTS-C1H

更新时间： 2024-11-12 19:32:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	147K
描述
Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168

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M374S6453DTS-C1H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	4831838208 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.036 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.98 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M374S6453DTS-C1H 数据手册

PC133/PC100 Unbuffered DIMM

M374S6453DTS

M374S6453DTS SDRAM DIMM

64Mx72 SDRAM DIMM with ECC based on 32Mx8, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD

GENERAL DESCRIPTION

FEATURE

• Performance range

The Samsung M374S6453DTS is a 64M bit x 72 Synchronous

Dynamic RAM high density memory module. The Samsung

M374S6453DTS consists of eighteen CMOS 32M x 8 bit with

4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a

2K EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 168-pin glass-epoxy

substrate. Two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the

printed circuit board in parallel for each SDRAM.

Part No.

Max Freq. (Speed)

133MHz@CL=2

133MHz@CL=3

100MHz@ CL=2

100MHz@ CL=3

M374S6453DTS-L7C/C7C

M374S6453DTS-L7A/C7A

M347S6453DTS-L1H/C1H

M347S6453DTS-L1L/C1L

• Burst mode operation

The M374S6453DTS is a Dual In-line Memory Module and is

intended for mounting into 168-pin edge connector sockets.

Synchronous design allows precise cycle control with the use of

system clock. I/O transactions are possible on every clock cycle.

Range of operating frequencies, programmable latencies allows

the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high

performance memory system applications.

• Auto & self refresh capability (8192 Cycles/64ms)

• LVTTL compatible inputs and outputs

• Single 3.3V ± 0.3V power supply

• MRS cycle with address key programs

Latency (Access from column address)

Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)

Data scramble (Sequential & Interleave)

• All inputs are sampled at the positive going edge of the

system clock

• Serial presence detect with EEPROM

• PCB : Height (1,375mil), double sided component

PIN CONFIGURATIONS (Front side/back side)

PIN NAMES

Pin Front Pin Front

Front Pin Back Pin Back Pin Back

Pin Name

A0 ~ A12

Function

Address input (Multiplexed)

Select bank

VSS

29 DQM1

DQ18 85

DQ19 86 DQ32 114 CS1 142 DQ51

87 DQ33 115 RAS 143 VDD

DQ20 88 DQ34 116 VSS 144 DQ52

VSS 113 DQM5 141 DQ50

BA0 ~ BA1

DQ0 ~ DQ63

CB0 ~ 7

DQ0 30

DQ1 31

DQ2 32

DQ3 33

CS0

VSS

Data input/output

VDD

Check bit (Data-in/data-out)

*VREF 90

CKE1 91 DQ36 119

92 DQ37 120

DQ21 93 DQ38 121

89 DQ35 117

145 NC

146 *VREF

147 NC

148 VSS

149 DQ53

CLK0 ~ CLK3 Clock input

VDD

VDD 118

CKE0 ~ CKE1 Clock enable input

DQ4 35

DQ5 36

DQ6 37

VSS

CS0 ~ CS3

RAS

Chip select input

Row address strobe

Column address strobe

Write enable

10 DQ7 38 A10/AP

DQ22 94 DQ39 122 BA0 150 DQ54

DQ23 95 DQ40 123 A11 151 DQ55

CAS

11 DQ8 39

12 40

13 DQ9 41

BA1

VDD

VSS

VSS 124 VDD 152 VSS

DQ24 97 DQ41 125 CLK1 153 DQ56

DQ25 98 DQ42 126 A12 154 DQ57

DQ26 99 DQ43 127 VSS 155 DQ58

DQ27 100 DQ44 128 CKE0 156 DQ59

VDD 101 DQ45 129 CS3 157 VDD

DQ28 102 VDD 130 DQM6 158 DQ60

DQ29 103 DQ46 131 DQM7 159 DQ61

DQ30 104 DQ47 132 *A13 160 DQ62

DQ31 105 CB4 133 VDD 161 DQ63

DQM0 ~ 7

VDD

DQM

14 DQ10 42 CLK0

Power supply (3.3V)

Ground

15 DQ11 43

16 DQ12 44

17 DQ13 45

VSS

CS2

VSS

*VREF

SDA

Power supply for reference

Serial data I/O

Serial clock

VDD

46 DQM2

19 DQ14 47 DQM3

SCL

20 DQ15 48

VDD

SA0 ~ 2

*WP

Address in EEPROM

Write protection

Don¢t use

CB0

CB1

VSS

VDD

VSS 106 CB5 134

CLK2 107 VSS 135

NC 162 VSS

NC 163 CLK3

CB2

CB3

VSS

NC 108 NC 136 CB6 164 NC

*WP 109 NC 137 CB7 165 **SA0

**SDA 110 VDD 138 VSS 166 **SA1

No connection

These pins are not used in this module.

** These pins should be NC in the system

55 DQ16 83 **SCL 111 CAS 139 DQ48 167 **SA2

28 DQM0 56 DQ17

VDD 112 DQM4 140 DQ49 168 VDD

which does not support SPD.

SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.

REV. 0.0 Jan. 2002

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