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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM168 |
| 针数： | 168 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 | 内存密度： | 2415919104 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度： | 72 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX72 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM168 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.036 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 2.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M374S3323ETU-C7C | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168 |
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| M374S3323ETU-L7A | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| M374S3323FTS-C7A | SAMSUNG |
获取价格 |
SDRAM Unbuffered Module |
|
| M374S3323FTU-C7A | SAMSUNG |
获取价格 |
SDRAM Unbuffered Module |
|
| M374S3323ITS-C7A | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168 |
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| M374S3323IUS | SAMSUNG |
获取价格 |
SDRAM Product Guide |
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| M374S3323IUS-C7A | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-168 |
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| M374S3323IUU-C7A | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-168 |
|
| M374S6453AT0-C1L | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
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| M374S6453AT0-C80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
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