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M29W800DB70N1T

更新时间： 2024-11-10 22:56:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储
页数	文件大小	规格书
41页	220K
描述
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29W800DB70N1T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,15	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29W800DB70N1T 数据手册

M29W800DT

M29W800DB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and

Read

■ ACCESS TIME: 70, 90ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

■ 19 MEMORY BLOCKS

SO44 (M)

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 16 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte/Word Program algorithms

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

FBGA

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ COMMON FLASH INTERFACE

– 64 bit Security Code

TFBGA48 (ZA)

8 x 6 ball array

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W800DT: 22D7h

– Bottom Device Code M29W800DB: 225Bh

April 2002

1/41

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W800DB70N6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800DB70N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70N6E	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70N6E	MICRON	获取价格	8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W800DB70N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70N6F	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70N6F	MICRON	获取价格	8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W800DB70N6T	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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