Datasheet > 存储 > 闪存> M29W800DB70N6

M29W800DB70N6

更新时间： 2024-09-30 13:10:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
42页	303K
描述
512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29W800DB70N6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.07	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M29W800DB70N6 数据手册

M29W800DT

M29W800DB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

V_CC= 2.7V to 3.6V for Program, Erase

and Read

Figure 1. Packages

–

■

ACCESS TIMES: 45, 70, 90ns

PROGRAMMING TIME

–

10µs per Byte/Word typical

■

19 MEMORY BLOCKS

–

1 Boot Block (Top or Bottom Location)

2 Parameter and 16 Main Blocks

SO44 (M)

■

PROGRAM/ERASE CONTROLLER

–

Embedded Byte/Word Program

algorithms

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

TSOP48 (N)

12 x 20mm

UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

Faster Production/Batch Programming

–

■

TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

COMMON FLASH INTERFACE

FBGA

–

64 bit Security Code

LOW POWER CONSUMPTION

Standby and Automatic Standby

■

TFBGA48 (ZA)

6 x 9 mm

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

ELECTRONIC SIGNATURE

FBGA

–

Manufacturer Code: 0020h

Top Device Code M29W800DT: 22D7h

Bottom Device Code M29W800DB:

225Bh

TFBGA48 (ZE)

6 x 8mm

September 2004

1/42

12 3 4 5 6 7...42

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M29W800DB70N6E	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70N6E	MICRON	获取价格	8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W800DB70N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70N6F	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70N6F	MICRON	获取价格	8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W800DB70N6T	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZA1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZA1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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