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M29W800DB70N6E

更新时间: 2024-10-01 15:18:19
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
53页 1053K
描述
8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

M29W800DB70N6E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1, TSSOP48,.8,20针数:48
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:7
最长访问时间:70 ns其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e4长度:18.4 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,15端子数量:48
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

M29W800DB70N6E 数据手册

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M29W800DT  
M29W800DB  
8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block)  
3 V supply flash memory  
Features  
„ Supply voltage  
– VCC = 2.7 V to 3.6 V for program, erase  
and read  
„ Access times: 45, 70, 90 ns  
„ Programming time  
– 10 μs per byte/word typical  
SO44 (M)  
„ 19 memory blocks  
– 1 boot block (top or bottom location)  
– 2 parameter and 16 main blocks  
„ Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
„ Erase suspend and resume modes  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
– Read and program another block during  
erase suspend  
„ Unlock bypass program command  
FBGA  
– Faster production/batch programming  
„ Temporary block unprotection mode  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
„ Common flash interface  
– 64-bit security code  
„ Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
„ 100,000 program/erase cycles per block  
„ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
Top device code M29W800DT: 22D7h  
– Bottom device code M29W800DB: 225Bh  
January 2018  
Rev 12  
1/52  
www.numonyx.com  
1

M29W800DB70N6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W800DT45N6E MICRON

类似代替

8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
S29AL008J70TFI023 CYPRESS

类似代替

Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, TSOP-48

与M29W800DB70N6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W800DB70N6F STMICROELECTRONICS

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8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70N6F NUMONYX

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8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70N6F MICRON

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8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W800DB70N6T NUMONYX

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8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70N6T STMICROELECTRONICS

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8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZA1E STMICROELECTRONICS

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8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZA1F STMICROELECTRONICS

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8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZA1T STMICROELECTRONICS

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8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZA6E STMICROELECTRONICS

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8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZA6F STMICROELECTRONICS

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8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory