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M28F512-20C6TR PDF预览

M28F512-20C6TR

更新时间： 2024-09-19 14:52:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 148K
描述
64KX8 FLASH 12V PROM, 20ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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M28F512-20C6TR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：QFJ
包装说明：PLASTIC, LCC-32针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.83
Is Samacsys：N最长访问时间：20 ns
JESD-30 代码：R-PQCC-J32长度：13.995 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL编程电压：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD类型：NOR TYPE
宽度：11.455 mmBase Number Matches：1

M28F512-20C6TR 数据手册

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M28F512  
512 Kbit (64Kb x8, Bulk) Flash Memory  
5V ±10% SUPPLYVOLTAGE  
12V PROGRAMMING VOLTAGE  
FASTACCESS TIME: 90ns  
BYTE PROGRAMING TIME: 10µs typical  
ELECTRICAL CHIP ERASE in 1s RANGE  
LOW POWER CONSUMPTION  
32  
– Stand-byCurrent: 5µA typical  
10,000 ERASE/PROGRAM CYCLES  
1
INTEGRATED ERASE/PROGRAM-STOP  
TIMER  
PLCC32 (C)  
PDIP32 (B)  
20 YEARSDATARETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– ManufacturerCode: 20h  
– Device Code: 02h  
Figure 1. Logic Diagram  
DESCRIPTION  
The M28F512 Flash memory is a non-volatile  
memory that may be erased electricallyat the chip  
level and programmed by byte. It is organised as  
64 Kbytes of 8 bits. It uses a command register  
architecturetoselecttheoperatingmodesandthus  
provides a simple microprocessor interface. The  
device is offered in PDIP32 and PLCC32 pack-  
ages.  
V
V
PP  
CC  
16  
8
A0-A15  
DQ0-DQ7  
W
E
M28F512  
Table 1. Signal Names  
A0-A15  
Address Inputs  
Data Inputs / Outputs  
Chip Enable  
G
DQ0-DQ7  
E
G
Output Enable  
Write Enable  
V
SS  
AI00548B  
W
VPP  
VCC  
VSS  
Program Supply  
Supply Voltage  
Ground  
August 1998  
1/20  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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