是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | PLASTIC, LCC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.41 | 最长访问时间: | 90 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.995 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.56 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 11.455 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M28F512-90XC6 | STMICROELECTRONICS |
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64KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
M28F512-90XC6TR | STMICROELECTRONICS |
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64KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
M28F512C | STMICROELECTRONICS |
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64KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
M28F800A2BT12 | MOTOROLA |
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1MX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO48, TSOP1-48 | |
M28F800A2BT12R | MOTOROLA |
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1MX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO48, TSOP1-48 | |
M28F800A2KBT12 | MOTOROLA |
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1MX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO48, TSOP1-48 | |
M28F800A2KBT12R | MOTOROLA |
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Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48, TSOP1-48 | |
M28F800A2KT12 | MOTOROLA |
获取价格 |
1MX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO48, TSOP1-48 | |
M28F800A2KT12R | MOTOROLA |
获取价格 |
1MX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO48, TSOP1-48 | |
M28F800A2T12 | MOTOROLA |
获取价格 |
1MX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO48, TSOP1-48 |