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M28F512-20XB3TR

更新时间： 2024-11-08 14:52:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 148K
描述
64KX8 FLASH 12V PROM, 20ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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M28F512-20XB3TR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.83
最长访问时间：20 nsJESD-30 代码：R-PDIP-T32
长度：41.91 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
编程电压：12 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大供电电压 (Vsup)：5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

M28F512-20XB3TR 数据手册

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M28F512  
512 Kbit (64Kb x8, Bulk) Flash Memory  
5V ±10% SUPPLYVOLTAGE  
12V PROGRAMMING VOLTAGE  
FASTACCESS TIME: 90ns  
BYTE PROGRAMING TIME: 10µs typical  
ELECTRICAL CHIP ERASE in 1s RANGE  
LOW POWER CONSUMPTION  
32  
– Stand-byCurrent: 5µA typical  
10,000 ERASE/PROGRAM CYCLES  
1
INTEGRATED ERASE/PROGRAM-STOP  
TIMER  
PLCC32 (C)  
PDIP32 (B)  
20 YEARSDATARETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– ManufacturerCode: 20h  
– Device Code: 02h  
Figure 1. Logic Diagram  
DESCRIPTION  
The M28F512 Flash memory is a non-volatile  
memory that may be erased electricallyat the chip  
level and programmed by byte. It is organised as  
64 Kbytes of 8 bits. It uses a command register  
architecturetoselecttheoperatingmodesandthus  
provides a simple microprocessor interface. The  
device is offered in PDIP32 and PLCC32 pack-  
ages.  
V
V
PP  
CC  
16  
8
A0-A15  
DQ0-DQ7  
W
E
M28F512  
Table 1. Signal Names  
A0-A15  
Address Inputs  
Data Inputs / Outputs  
Chip Enable  
G
DQ0-DQ7  
E
G
Output Enable  
Write Enable  
V
SS  
AI00548B  
W
VPP  
VCC  
VSS  
Program Supply  
Supply Voltage  
Ground  
August 1998  
1/20  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M28F512-20XB6TR STMICROELECTRONICS

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