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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27W400-100XK6
M27W400-100XK6 PDF预览

M27W400-100XK6

更新时间： 2024-11-01 13:09:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
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15页 142K
描述
512KX8 OTPROM, 100ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

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M27W400-100XK6 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：LCC
包装说明：QCCJ,针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
备用内存宽度：16JESD-30 代码：S-PQCC-J44
长度：16.5862 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：44
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.7 mm最大供电电压 (Vsup)：3.78 V
最小供电电压 (Vsup)：2.565 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD宽度：16.5862 mm
Base Number Matches：1

M27W400-100XK6 数据手册

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M27W400  
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16)  
Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
■ 2.7 to 3.6V LOW VOLTAGE in READ  
OPERATION  
■ READ ACCESS TIME:  
– 80ns at V = 3.0 to 3.6V  
CC  
40  
40  
– 100ns at V = 2.7 to 3.6V  
CC  
■ BYTE-WIDE or WORD-WIDE  
1
1
CONFIGURABLE  
FDIP40W (F)  
PDIP40 (B)  
■ 4 Mbit MASK ROM REPLACEMENT  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Active Current 20mA at 8MHz  
– Stand-by Current 15µA  
■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.5V ± 0.25V  
■ PROGRAMMING TIME: 50µs/word  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
PLCC44 (K)  
– Device Code: B8h  
Figure 1. Logic Diagram  
DESCRIPTION  
The M27W400 is a low voltage 4 Mbit EPROM of-  
fered in the two range UV (Ultra Violet Erase) and  
OTP (one time programmable). It is ideally suited  
for microprocessor systems requiring large data or  
program storage. It is organised as either 512  
Kwords of 8 bit or 256 Kwords of 16 bit. The pin-  
out is compatible with the most common 4 Mbit  
Mask ROM.  
V
CC  
18  
Q15A–1  
A0-A17  
The M27W400 operates in the read mode with a  
supply voltage as low as 2.7V at –40 to 85°C tem-  
perature range. The decrease in operating power  
allows either a reduction of the size of the battery  
or an increase in the time between battery re-  
charges.  
15  
Q0-Q14  
E
M27W400  
G
The FDIP40W (window ceramic frit-seal package)  
has a transparent lid which allows the user to ex-  
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-  
tern. A new pattern can then be written to the  
device by following the programming procedure.  
BYTEV  
PP  
For application where the content is programmed  
only one time and erasure is not required, the  
M27W400 is offered in PDIP40 and PLCC44 pack-  
ages.  
V
SS  
AI03096  
January 2000  
1/15  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W400-100XK6TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-120B6 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M27W400-120B6TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-120F6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX8 UVPROM, 120ns, CDIP40, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-40
M27W400-120F6TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-120K6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX8 OTPROM, 120ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
M27W400-120K6TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-120XB6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX8 OTPROM, 120ns, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40
M27W400-120XB6TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-120XF6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX8 UVPROM, 120ns, CDIP40, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-40

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