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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27W400-120K6TR
M27W400-120K6TR PDF预览

M27W400-120K6TR

更新时间： 2024-11-29 22:23:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
15页 142K
描述
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W400-120K6TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：LCC包装说明：PLASTIC, LCC-44
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：16
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQCC-J44
JESD-609代码：e0长度：16.5862 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：44字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC44,.7SQ封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.7 mm
最大待机电流：0.000015 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.96 V
最小供电电压 (Vsup)：2.43 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：16.5862 mm
Base Number Matches：1

M27W400-120K6TR 数据手册

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M27W400  
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16)  
Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
■ 2.7 to 3.6V LOW VOLTAGE in READ  
OPERATION  
■ READ ACCESS TIME:  
– 80ns at V = 3.0 to 3.6V  
CC  
40  
40  
– 100ns at V = 2.7 to 3.6V  
CC  
■ BYTE-WIDE or WORD-WIDE  
1
1
CONFIGURABLE  
FDIP40W (F)  
PDIP40 (B)  
■ 4 Mbit MASK ROM REPLACEMENT  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Active Current 20mA at 8MHz  
– Stand-by Current 15µA  
■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.5V ± 0.25V  
■ PROGRAMMING TIME: 50µs/word  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
PLCC44 (K)  
– Device Code: B8h  
Figure 1. Logic Diagram  
DESCRIPTION  
The M27W400 is a low voltage 4 Mbit EPROM of-  
fered in the two range UV (Ultra Violet Erase) and  
OTP (one time programmable). It is ideally suited  
for microprocessor systems requiring large data or  
program storage. It is organised as either 512  
Kwords of 8 bit or 256 Kwords of 16 bit. The pin-  
out is compatible with the most common 4 Mbit  
Mask ROM.  
V
CC  
18  
Q15A–1  
A0-A17  
The M27W400 operates in the read mode with a  
supply voltage as low as 2.7V at –40 to 85°C tem-  
perature range. The decrease in operating power  
allows either a reduction of the size of the battery  
or an increase in the time between battery re-  
charges.  
15  
Q0-Q14  
E
M27W400  
G
The FDIP40W (window ceramic frit-seal package)  
has a transparent lid which allows the user to ex-  
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-  
tern. A new pattern can then be written to the  
device by following the programming procedure.  
BYTEV  
PP  
For application where the content is programmed  
only one time and erasure is not required, the  
M27W400 is offered in PDIP40 and PLCC44 pack-  
ages.  
V
SS  
AI03096  
January 2000  
1/15  
1234567...15

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与M27W400-120K6TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W400-120XB6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX8 OTPROM, 120ns, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40
M27W400-120XB6TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-120XF6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		512KX8 UVPROM, 120ns, CDIP40, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-40
M27W400-120XF6TR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-120XK6 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M27W400-120XK6TR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W401 STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W401_06 STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (512Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W401-100B6 STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (512Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W401-100B6TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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