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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27W401-120B6
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M27W401-120B6

更新时间： 2024-12-01 03:09:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
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23页 212K
描述
4 Mbit (512Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W401-120B6 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最长访问时间：120 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDIP-T32JESD-609代码：e3
长度：41.91 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：245
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.000015 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

M27W401-120B6 数据手册

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M27W401  
4 Mbit (512Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
■ 2.7V to 3.6V Supply Voltage in Read Operation  
■ Access Time:  
– 70 ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
32  
32  
– 80 ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
1
1
■ Pin Compatible with M27C4001  
PDIP32 (B)  
FDIP32W (F)  
■ Low Power Consumption:  
– 15 µA Max. Standby Current  
– 15 mA Max. Active Current at 5 MHz  
■ Programming Time 100 µs/byte  
■ High Reliability CMOS Technology  
– 2,000V ESD Protection  
– 200 mA Latchup Protection Immunity  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
■ Electronic Signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 41h  
PLCC32 (K)  
■ ECOPACK® packages available  
April 2006  
Rev 3  
1/23  
www.st.com  
1
1234567...23

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W401-120B6TR STMICROELECTRONICS

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M27W401-120F6 STMICROELECTRONICS

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