Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27W401-100N6

M27W401-100N6

更新时间： 2024-02-10 03:47:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路 ISM频段可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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4 Mbit (512Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W401-100N6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PTSO-G32
JESD-609代码：	e3/e6	长度：	18.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	TRIPLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

M27W401-100N6 数据手册

M27W401

4 Mbit (512Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

Features

■ 2.7V to 3.6V Supply Voltage in Read Operation

■ Access Time:

– 70 ns at V = 3.0V to 3.6V

– 80 ns at V = 2.7V to 3.6V

■ Pin Compatible with M27C4001

PDIP32 (B)

FDIP32W (F)

■ Low Power Consumption:

– 15 µA Max. Standby Current

– 15 mA Max. Active Current at 5 MHz

■ Programming Time 100 µs/byte

■ High Reliability CMOS Technology

– 2,000V ESD Protection

– 200 mA Latchup Protection Immunity

TSOP32 (N)

8 x 20 mm

■ Electronic Signature

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 41h

PLCC32 (K)

■ ECOPACK® packages available

April 2006

Rev 3

1/23

www.st.com

12 3 4 5 6 7...23

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