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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27W101-80K6
M27W101-80K6 PDF预览

M27W101-80K6

更新时间： 2024-10-29 13:09:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
15页 105K
描述
128KX8 OTPROM, 80ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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M27W101-80K6 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFJ
包装说明：PLASTIC, LCC-32针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.8
Is Samacsys：N最长访问时间：80 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
最大待机电流：0.000015 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

M27W101-80K6 数据手册

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M27W101  
1 Mbit (128Kb x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
■ 2.7V to 3.6V LOW VOLTAGE in READ  
OPERATION  
■ ACCESS TIME:  
32  
32  
– 70ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
– 80ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
1
1
■ PIN COMPATIBLE with M27C1001  
■ LOW POWER CONSUMPTION:  
– Active Current 15mA at 5MHz  
– Standby Current 15µA  
FDIP32W (F)  
PDIP32 (B)  
■ PROGRAMMING TIME 100µs/byte  
■ HIGH RELIABILITY CMOS TECHNOLOGY  
– 2,000V ESD Protection  
– 200mA Latchup Protection Immunity  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
– Device Code: 05h  
Figure 1. Logic Diagram  
DESCRIPTION  
The M27W101 is a low voltage 1 Mbit EPROM of-  
fered in two range UV (ultra violet erase) and OTP  
(one timeprogrammable). It is ideally suited for mi-  
croprocessor systems requiring large data or pro-  
gram storage and is organized as 131,072 by 8  
bits.  
V
V
CC  
PP  
17  
8
The M27W101 operates in the read mode with a  
supply voltage as low as 2.7V at –40 to 85 °C tem-  
perature range.  
A0-A16  
Q0-Q7  
The decrease in operating power allows either a  
reduction of the size of the battery or an increase  
in the time between battery recharges.  
P
M27W101  
E
The FDIP32W (window ceramic frit-seal package)  
has a transparent lid which allows the user to ex-  
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-  
tern. A new pattern can then be written to the  
device by following the programming procedure.  
G
For application where the content is programmed  
only one time and erasure is not required, the  
M27W101 is offered in PDIP32, PLCC32 and  
TSOP32 (8 x 20 mm) packages.  
V
SS  
AI01587  
April 2000  
1/15  
1234567...15

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M27W101-80K6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M27W101-80K6TR STMICROELECTRONICS

类似代替

 1 Mbit 128Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
AT27BV010-90JU ATMEL

功能相似

 OTP ROM, 128KX8, 90ns, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
AT27LV010A-70JU ATMEL

功能相似

 1-Megabit (128K x 8) Low Voltage OTP EPROM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W101-80K6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 128Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W101-80N6 STMICROELECTRONICS

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 		128KX8 OTPROM, 80ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
M27W101-80N6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 128Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102 STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102-100B6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102-100F6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		64KX16 UVPROM, 100ns, CDIP40, FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-40
M27W102-100F6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102-100K6 STMICROELECTRONICS

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 		64KX16 OTPROM, 100ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
M27W102-100K6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102-100N6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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