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M27W101-80N6

更新时间: 2024-10-29 12:59:39
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路光电二极管ISM频段可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
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23页 212K
描述
128KX8 OTPROM, 80ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32

M27W101-80N6 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
Factory Lead Time:16 weeks风险等级:5.82
Is Samacsys:N最长访问时间:80 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e3/e6长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000015 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.015 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN/TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mmBase Number Matches:1

M27W101-80N6 数据手册

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M27W101  
1 Mbit (128Kb x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
2.7V to 3.6V Low Voltage in Read Operation  
Access Time:  
32  
– 70 ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
– 80 ns at V = 2.7V to 3.6V  
PLCC32 (K)  
CC  
Pin compatible with M27C1001  
1
FDIP32W (F)  
Low Power Consumption:  
– Active Current: 15 mA at 5 MHz  
– Standby Current: 15 µA  
Programming Time: 100 µs/byte  
High Reliability CMOS Technology  
– 2,000V ESD Protection  
32  
– 200 mA Latch-up Protection Immunity  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
Electronic Signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 05h  
1
PDIP32 (B)  
ECOPACK® packages available  
April 2006  
Rev 3  
1/23  
www.st.com  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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64KX16 OTPROM, 100ns, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40
M27W102-120B6TR STMICROELECTRONICS

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1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM