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M27W102-120B6

更新时间： 2024-10-29 19:51:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 156K
描述
64KX16 OTPROM, 100ns, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40

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M27W102-120B6 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40
针数：40Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.84最长访问时间：100 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDIP-T40
JESD-609代码：e3长度：52.18 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：40字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP40,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.000015 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

M27W102-120B6 数据手册

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M27W102  
1 Mbit (64Kb x16) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
■ 2.7V to 3.6V LOW VOLTAGE in READ  
OPERATION  
■ READ ACCESS TIME:  
– 70ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
– 80ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
40  
40  
■ PIN COMPATIBLE with M27C1024  
■ LOW POWER CONSUMPTION:  
– 15µA max Standby Current  
1
1
FDIP40W (F)  
PDIP40 (B)  
– 15mA max Active Current at 5MHz  
■ PROGRAMMING TIME 100µs/word  
■ HIGH RELIABILITY CMOS TECHNOLOGY  
– 2,000V ESD Protection  
– 200mA Latchup Protection Immunity  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
PLCC44 (K)  
TSOP40 (N)  
10 x 14 mm  
Figure 1. Logic Diagram  
– Device Code: 008Ch  
DESCRIPTION  
The M27W102 is a low voltage 1 Mbit EPROM of-  
fered in the two ranges UV (ultra violet erase) and  
OTP (one time programmable). It is ideally suited  
for microprocessor systems requiring large data or  
program storage and is organized as 65,536  
words by 16 bits.  
V
V
CC  
PP  
16  
16  
The M27W102 operates in the read mode with a  
supply voltage as low as 2.7V at –40 to 85°C tem-  
perature range. The decrease in operating power  
allows either a reduction of the size of the battery  
or an increase in the time between battery re-  
charges.  
A0-A15  
Q0-Q15  
P
M27W102  
E
The FDIP40W (window ceramic frit-seal package)  
has a transparent lid which allows the user to ex-  
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-  
tern. A new pattern can then be written to the  
device by following the programming procedure.  
G
For application where the content is programmed  
only one time and erasure is not required, the  
M27w102 is offered in PDIP40, PLCC44 and  
TSOP40 (10 x 14 mm) packages.  
V
SS  
AI01922  
April 2000  
1/15  
1234567...15

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与M27W102-120B6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W102-120B6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102-120F6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102-120K6 STMICROELECTRONICS

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 		64KX16 OTPROM, 100ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
M27W102-120K6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102-120N6 STMICROELECTRONICS

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 		64KX16 OTPROM, 100ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
M27W102-120N6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102-150B6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102-150F6 STMICROELECTRONICS

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M27W102-150F6TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W102-150K6 STMICROELECTRONICS

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 		64KX16 OTPROM, 100ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

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