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M27W1282100M1T

更新时间: 2024-10-29 15:46:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 332K
描述
4MX16 OTPROM, 100ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44

M27W1282100M1T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:0.500 INCH, PLASTIC, SO-44
针数:44Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:28.5 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP44,.63封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3 mm最大待机电流:0.00015 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:12.6 mmBase Number Matches:1

M27W1282100M1T 数据手册

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M27W1282  
128 Mbit (two 64 Mbit, x16, FlexibleROM™)  
3V Supply, Multiple Memory Product  
FEATURES SUMMARY  
ONE TIME PROGRAMMABLE  
Figure 1. Packages  
TWO 64 Mbit FlexibleROM™ MEMORIES  
STACKED IN A SINGLE PACKAGE  
SUPPLY VOLTAGE  
– V = 2.7 to 3.6V for Read  
CC  
– V = 11.4 to 12.6V for Program  
PP  
ACCESS TIME  
– 90ns at V = 3.0 to 3.6V  
CC  
– 100, 120ns at V = 2.7 to 3.6V  
CC  
PROGRAMMING TIME  
– 9µs per Word typical  
SO44 (M)  
– Multiple Word Programming Option  
(16s typical Chip Program)  
SUITABLE FOR ON-BOARD PROGRAMMING  
PROGRAM CONTROLLER  
– Embedded Word Program algorithms  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code : 8888h  
November 2003  
1/22  

与M27W1282100M1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W1282120M1 STMICROELECTRONICS

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4MX16 OTPROM, 120ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44
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4MX16 OTPROM, 120ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44
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2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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256KX8 OTPROM, 100ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32